202410-30 铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存:读取速度高达4200 MB/s NEW 快科技10月30日消息,铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLC UFS 4.0闪存。相比于传统的TLC UFS有着更高的位密度,使其适用于需要更高存储容量的移动应用程序。在性能方面,512GB容量的QLC UFS 4.0闪存充分发挥了UFS 4.0接口的高速潜力,实现了惊人的4200MB/s顺序读取速度和3200MB/s的顺序写入速度,为用户带来前所未有的数据传输体验。铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存:读取速度高达4200 MB/s技术层面,铠侠巧妙地将先进的Bi... Read More >
202410-29 三星、铠侠将减产NAND闪存:市场需求疲软、企业级SSD也撑不住 NEW 快科技10月29日消息,据媒体报道,三星与铠侠都开始研究在第四季度对NAND进行减产,预计依照市场况状进行分阶段减产。此前,TrendForce分析,2024年第三季之前,智能手机、PC等电子消费产品需求依旧疲软,虽然有AI服务器拉动HBM、DDR5等AI存储产品涨价,但整体需求低迷。除了企业级SSD有动能支撑外,其他终端产品销售普遍不如预期,降价在所难免。这迫使存储器制造商改变策略,延长库存管理的时间表,考虑新的减产计划。第四季度DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%,相... Read More >
202406-27 铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图:计划2027年实现1000层堆叠 NEW 快科技6月27日消息,铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。在3D NAND闪存技术的竞赛中,铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心,其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的... Read More >