铠侠

2026
04-01

战略转型加速！铠侠再发停产通知：将退出2D NAND市场 NEW

快科技4月1日消息，据媒体报道，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）31日再次向客户发布最新停产通知，宣布部分传统浮栅式（FloatingGate）2D NAND以及第三代BiCSFLASH产品将逐步退出市场。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS Flash Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30 日，最后出货时间为2028年12月3... Read More >

2024
10-30

铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存：读取速度高达4200 MB/s NEW

快科技10月30日消息，铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLC UFS 4.0闪存。相比于传统的TLC UFS有着更高的位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用程序。在性能方面，512GB容量的QLC UFS 4.0闪存充分发挥了UFS 4.0接口的高速潜力，实现了惊人的4200MB/s顺序读取速度和3200MB/s的顺序写入速度，为用户带来前所未有的数据传输体验。铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存：读取速度高达4200 MB/s技术层面，铠侠巧妙地将先进的Bi... Read More >

2024
10-29

三星、铠侠将减产NAND闪存：市场需求疲软、企业级SSD也撑不住 NEW

快科技10月29日消息，据媒体报道，三星与铠侠都开始研究在第四季度对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。此前，TrendForce分析，2024年第三季之前，智能手机、PC等电子消费产品需求依旧疲软，虽然有AI服务器拉动HBM、DDR5等AI存储产品涨价，但整体需求低迷。除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销售普遍不如预期，降价在所难免。这迫使存储器制造商改变策略，延长库存管理的时间表，考虑新的减产计划。第四季度DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，相... Read More >

2024
06-27

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图：计划2027年实现1000层堆叠

快科技6月27日消息，铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的... Read More >