科技是第一生产力！
快科技3月7日消息，据报道，自2007年成立以来，SK海力士CIS事业部在克服重重挑战后，成功进军移动端市场并取得了显著成果。这一成就不仅标志着公司在逻辑半导体技术和定制业务领域的实力，也为其在AI时代的转型奠定了基础。随着AI技术的迅猛发展，SK海力士正积极转型，致力于成为AI产业的核心企业。公司不仅在面向AI的存储器领域取得了重大突破，还通过CIS事业部的技术和经验，增强了在AI存储器市场的竞争力。这一战略调整旨在整合全公司资源，以应对市场对AI半导体存储器的强劲需求。S...
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快科技2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中，使其在本地运行密集型操作时消耗更少的电量，从而满足设备制造商对高效能、低功耗的需求。业内人士推测，SK海力士最快将于年内推出LPDDR5M产品。与此同时，SK海力士在高带宽内存...
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本周四，韩国SK海力士宣布，已开始量产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB，这是迄今为止现有HBM的最大容量。SK海力士声称，12层HBM3E产品在速度、容量和稳定性方面均达到全球最高标准。该公司计划在年内向客户提供量产产品。AI芯片新突破！SK海力士全球首个实现12层HBM3E产品量产受此消息影响，SK海力士股价周四在韩股市场上大涨。截至发稿，该公司股价日内涨幅已达到8.89%。SK海力士率先实现12层HBM量产今年3月，SK海力士向客户交付8层HBM3E产品，创下...
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快科技8月29日消息，SK海力士宣布，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的DDR5 DRAM芯片。这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。与前一代产品相比，1c DDR5 DRAM的运行速度达到了8Gbps，速度提升了11%，同时能效也提高了9%以上。 SK海力士表示，这款芯片的推出，将有助于数据中心在人工智能迅速发展的当下，最高减少达30%的电力成本，SK海力士的1c工艺技术是在第五代（1β）技术的基础...
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快科技7月30日消息，今天，SK海力士推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7，相比上代运行速度提升60%。按照SK海力士的说法，GDDR7将于今年第三季度开始量产。SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps的运行速度，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒1.5TB以上的数据处理，其相当于在1秒内可处理300部全高清（Full-HD）级电影（5GB）。至于大家关心的散热，SK海力士将用于封装的放热基板...
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快科技6月30日消息，据媒体报道，全球半导体产业的人才争夺战愈演愈烈，韩国作为半导体制造强国，正面临前所未有的人才流失危机。近年来，随着AI服务器等高性能计算系统的兴起，对半导体技术人才的需求急剧增加，而美国等地区对芯片制造业的大力发展，导致韩国半导体人才被大量挖角，其中，三星电子和SK海力士成为了重灾区。据韩国媒体报道，英伟达已从三星电子挖走515名新进员工，而三星仅有278名新进员工来自英伟达。SK海力士的情况更为严峻，有38名员工跳槽到英伟达，却未能从对方挖来任何人才。...
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快科技6月28日消息，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧AI PC的“业界最高性能”固态硬盘SSD产品——PCB01，将提供512GB、1TB、2TB三种容量。据悉，这款PCB01固态硬盘不仅延续了SK海力士在HBM等超高性能DRAM领域的领先地位，更在NAND闪存解决方案方面迈出了重要一步，为面向AI的存储器市场树立了新标杆。目前，SK海力士正在与全球PC客户紧密合作，对新产品进行严格的验证。预计验证完成后，将在今年内正式开启大规模生产，同时面向大型客户和普通消费者推出这一...
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ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。据报道，SK海力士总裁李石熙日前表示，该公司计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV光刻机生产第四代（1a nm）DRAM产品。李石熙表示M16工厂将于今年底建成，明年上半年开始引入制造设备，目前实验室正在进行准备工作，预计明年开始量产。对内存来说，它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的...
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