2025
08-21
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英伟达计划自研HBM内存Base Die：2027下半年试产以补短板 NEW
快科技8月21日消息，据媒体报道，英伟达宣布将自研基于3nm工艺的HBM内存Base Die，预计于2027年下半年进入小规模试产阶段，此举旨在弥补其在HBM领域的技术与生态短板。未来，英伟达的HBM供应链将转向采用“内存原厂DRAM Die + 英伟达自研Base Die”的组合模式，标志着其在高性能计算存储架构中进一步深化垂直整合。HBM已成为打破AI芯片“存储墙”的关键。从A100到Blackwell Ultra系列，HBM在芯片物料成本（BOM）中的占比已超过50%。...
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快科技5月15日消息，据媒体报道，苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术，其中HBM内存被视为关键发展方向之一。据悉，HMB全称是High Bandwidth Memory，中文名为“高带宽内存”，这是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM。它能提高数据吞吐量，同时降低功耗并缩小内存芯片体积，目前主要应用于AI服务器，苹果希望通过将移动HBM与iPhone的GPU单元连接来增强设备端AI能力，这项技术对于端侧AI大模型至关重要，可避免电量过快耗尽，还能降低延迟。具...