2025
02-24
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三星向国产存储低头！将引入长江存储技术解困局 NEW
快科技2月24日消息，据韩国媒体报道，三星近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从第10代V-NAND（V10）开始，将使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。三星计划在2025年下半年量产下一代V10 NAND，预计堆叠层数将达到420至430层，当层数超过400层时，底层外围电路的压力会显著增加，影响芯片的可靠性。为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W混合键合技术，该技术通过直接将两片晶圆贴合，无需传统凸点连接，从而缩短电...
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