202407-23 苹果、高通、美光等美企负责人扎堆来北京:加大对中国市场投资 NEW 快科技7月23日消息,据国内媒体报道称,近日苹果等多个美企高管现身北京,主要是前来加深自己在中国市场的业务。报道中提到,这次访问的名单上有苹果、高通的负责人......,都是在中国拥有庞大业务的“老熟人”,他们此次的行程安排也比较临时和匆忙。消息人士指出,这些美企与中国合作的意愿不仅没有减少,反而在加强,中国的市场依旧充满吸引力。今年3月份的时候,库克来到中国时曾公开表示,苹果一直以来都很重视在中国的研发投入。当时,苹果还宣布了在上海和深圳新设应用研究实验室的计划。而中国有着... Read More >
202407-17 美光发布全新256GB MRDIMM内存:AMD提出 却仅支持Intel NEW 快科技7月17日消息,美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5内存条,目前已经出样,可为AI、HPC应用提供超大容量、超高带宽、超低延迟。MRDIMM的全称为“Multiplexed Rank DIMM”,最初由AMD联合JEDEC组织提供提出,思路很简单,就是将两个DDR5 DIMM内存条合而为一,从而提供双倍的数据传输率,而且可以同时访问两个Rank。举例来说,两个DDR5-4800组合在一起,就得到了DDR5-9600,而规划目标是一举达到DDR5-17600。Inte... Read More >
202405-28 美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营 NEW 据日媒报道,美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片,据称其最快2027年底便可投入营运。美光计划在日建厂据报道,美光科技预计将投入6000亿-8000亿日圆(约合51亿美元)。这座新厂将于2026年初动工,并安装EUV设备。美光原本早就有在日建厂的计划,最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前,由于市场状况不佳,这一建厂计划一度遭到搁置。而如今,随着芯片市场回暖,尤其是人工智能热潮下DRAM芯片需求火爆,美光科技又重新推动了这一计划。... Read More >
202402-27 美光量产HBM3E高带宽内存:功耗将比对手产品低30% 快科技2月27日消息,美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称,其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30%。据悉,美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今美光、三星都将加入。HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,属于图形DDR内存的一种,通过使用先进的封装方法(如TSV硅通孔技术)垂直堆叠多个DRAM,与GPU... Read More >
201910-25 美光发布当前世界最快SSD X100:9GB/s读写速度、Intel傲腾劲敌 曾经绑在一起开发3D Xpoint存储芯片的Intel、美光已经分道扬镳,不过,3年来,Intel推出并成功运作了傲腾(Optane)品牌,美光的QuantX却销声匿迹,难道真的是“为她人做嫁衣”?没想到,美光今天推出X100 NVMe企业级SSD产品,直接叫板Intel傲腾,同时也无惧市面上最顶尖的SLC SSD,包括三星Z-Nand、东芝XL -Flash等。性能方面,美光称,X100的顺序读写速度超过9GB/s,QD1队列深度下的随机读速为250万 IOPS,延迟8μs... Read More >