快科技9月2日消息,近些年,我国在半导体芯片领域不断努力追赶,但差距依旧比较大,也是被卡脖子最严重的科技产业。根据著名投资银行高盛最新发布的报告,他们认为中国的国产光刻机只能生产65nm工艺的芯片,相比国际巨头ASML落后足足有大约20年!
高盛称,虽然中芯国际已经可以生产7nm工艺芯片,但极有可能还是利用了ASML比较老旧的DUV深紫外光刻机,因为中国还不具备制造这种设备的能力,更别提ASML已经发展了两代EUV极紫外光刻机。
目前,ASML最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给Intel、台积电、三星,对于1.4nm以下的工艺至关重要。它重达180吨,体积如同双层巴士,堪称全球最昂贵的半导体制造设备,同时也是最贵的,单台价格估计超过4亿美元。
高盛还指出,ASML光刻机从65nm发展到3nm及以下,用了长达20年的时间,投入了400亿美元的研发与资本费用。因此高盛认为,综合考虑中国当前的半导体技术水平、先进工艺研发的巨大投入、全球产业链的复杂性、高风险的地缘因素,中国国产光刻机不可能在短期内追上西方先进水平。
2025年第二季度,ASML销售额达77亿欧元,同比增长23.2%,毛利率达到53.7%,净利润23亿欧元,同比增长45.2%。
嗯,你们就继续认为自己依旧遥遥领先就好了……

高盛:中国光刻机只能造65nm 落后ASML 20年!
【本文结束】出处:快科技
- 本文固定链接: http://4218.cn/articles/62922.html
- 转载请注明: zhiyongz 于 科技资讯 发表