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英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题 NEW
快科技10月26日消息，英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机。他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电，可直接用High NA EUV光刻电路。英特尔首席技术官（CTO）普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）则表示，追赶台积电是规模问题，而非技术问题。High NA EUV光刻机提高了光线在晶圆上的分辨率，可实现16nm至8nm之间的间距（pitch），使芯片制造商能...
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快科技11月3日消息，据国外媒体报道称，台积电将于今年年底从荷兰供应商ASML接收首批全球最先进的芯片制造机器，仅比美国竞争对手英特尔晚几个月。高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元（约合25亿元/台）。按照消息人士的说法，台积电将在本季度在其位于中国台湾新竹总部附近的研发中心安装新的High NA EUV光刻机。该公司表示：“台积电仔细评估了新晶体管结构和新工具等技术创新，并在将其投入批量生产之前，考虑了它们...